發(fā)布時(shí)間：2023-04-24 17:04:05
序言：寫作是分享個(gè)人見解和探索未知領(lǐng)域的橋梁，我們?yōu)槟x了8篇的集成電路設(shè)計(jì)論文樣本，期待這些樣本能夠?yàn)槟峁┴S富的參考和啟發(fā)，請(qǐng)盡情閱讀。
當(dāng)電纜沒有開路、錯(cuò)位質(zhì)量故障時(shí)，A0～A31端的電纜等效電阻RT≤7000mΩ時(shí)，對(duì)A0～A31端分別取樣進(jìn)行精密測(cè)量。在綜合考慮IC100～I(xiàn)C131輸入端低電平應(yīng)≤0.7V和圖2中運(yùn)算放大器輸入靈敏度兼容情況下，取恒流源IS的輸出電流為10±0.5mA，Re0～Re31＝33Ω±5%，Vces≤0.1±0.05V。因此可以計(jì)算出VA采樣取值范圍是0.353～0.566V，VB的采樣取值范圍是0.348～0.384V。為此圖2中選用OPA335運(yùn)算放大器，其輸入電壓范圍是0～3V（單電源供電時(shí)），最大輸入失調(diào)電壓為5μV。圖2中運(yùn)算放大器輸出電壓V0～V31可由式（4）計(jì)算。由于OPA335的最大輸入失調(diào)電流是70pA，在設(shè)計(jì)中控制最大輸入電流在0.1～1mA之間，選擇RA＝RB＝2kΩ±5%，R1＝RF＝33kΩ±5%，電壓增益為16.5，輸出電壓范圍0～3.6V。
2測(cè)量分析電路設(shè)計(jì)
A/D轉(zhuǎn)換與分析電路設(shè)計(jì)在圖3中，A/D轉(zhuǎn)換電路ADC0809的輸入端IN0~IN7分別與圖2中運(yùn)算放大器的輸出端V0～V7連接，將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為8位數(shù)字輸出信號(hào)，并傳送給單片機(jī)的D0～D7端口，由單片機(jī)進(jìn)行分析運(yùn)算。路模擬輸出信號(hào)共需要4塊ADC0809電路進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換。單片機(jī)P0.0～P0.7端口接收ADC0809輸出的8位數(shù)字信號(hào)后進(jìn)行分析。
3電纜等效電阻檢測(cè)程序設(shè)計(jì)
3.1標(biāo)準(zhǔn)等效電阻值確定
端子壓接后電纜等效電阻的標(biāo)準(zhǔn)值因電纜長(zhǎng)度不同而有差異?？刹捎妙A(yù)先設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)值和自動(dòng)確定標(biāo)準(zhǔn)值兩種方法。對(duì)線徑為0.4mm的銅芯線電纜，預(yù)先設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)值RT標(biāo)準(zhǔn)可按照式（5）進(jìn)行計(jì)算：RT標(biāo)準(zhǔn)=75+148•L（5）其中，L是電纜長(zhǎng)度，單位為m；RT標(biāo)準(zhǔn)的單位是mΩ。自動(dòng)確定標(biāo)準(zhǔn)值方法是以正常工藝在質(zhì)量穩(wěn)定情況下，將首根檢驗(yàn)的壓接端子的電纜作為樣品，對(duì)32個(gè)芯線等效電阻進(jìn)行自動(dòng)檢測(cè)對(duì)比，選取其中的最小值，然后乘以系數(shù)1.05作為標(biāo)準(zhǔn)值。
3.2自動(dòng)設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)值程序設(shè)計(jì)
標(biāo)準(zhǔn)等效電阻值存放于I2C存儲(chǔ)器AT24C08中。檢測(cè)程序設(shè)計(jì)多路通信電纜端子精密檢測(cè)的主程序流程圖如圖5所示。以下為采集的主要函數(shù)，假設(shè)通道數(shù)為36路。
4批量檢測(cè)結(jié)果分析
關(guān)鍵詞：納米尺度互連線 集總參數(shù)模型 電路仿真 CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì)
中圖分類號(hào)：TN402 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1007-9416（2016）10-0176-02
1 引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，納米尺度的CMOS工藝射頻集成電路（RFIC）在工業(yè)、科技、醫(yī)藥醫(yī)療的應(yīng)用越來越廣泛，且其工作頻率已經(jīng)進(jìn)入微波、毫米波段，如X波段、Ku波段及60GHz應(yīng)用等[1]。然而，當(dāng)電路的工作頻率進(jìn)入到這種高頻頻段時(shí)，電路模型的精度是電路能否成功實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵所在。在電路版圖設(shè)計(jì)之后，通常是利用Assura和Calibre等工具來獲得互連線的寄生電阻和寄生電容。然而，由于電路的寄生電感比寄生電阻和寄生電容復(fù)雜且精度低，很難利用版圖驗(yàn)證設(shè)計(jì)工具得到寄生電感值，因此，需要借助于電磁場(chǎng)仿真軟件對(duì)傳輸線進(jìn)行準(zhǔn)確模擬。然而，在電路設(shè)計(jì)初期通常需要考慮用于互連的微帶傳輸線對(duì)電路性能的影響，傳統(tǒng)單純利用電磁場(chǎng)仿真軟件進(jìn)行參數(shù)提取的方法無法準(zhǔn)確根據(jù)設(shè)計(jì)要求進(jìn)行參數(shù)調(diào)整。本文構(gòu)建了基于物理特性的互連線模型，該模型的寄生參數(shù)通過傳輸線物理特性和電磁場(chǎng)仿真軟件得到，易于計(jì)算和電路設(shè)計(jì)分析。同時(shí)，該模型的參數(shù)和頻率無關(guān)，易于電路分析，適用于射頻集成電路的設(shè)計(jì)。最后，論文詳細(xì)論述了將模型用于集成電路設(shè)計(jì)中的流程。
2 互連線寄生參數(shù)仿真模型
射頻集成電路設(shè)計(jì)中使用的互連線結(jié)構(gòu)按照其類別可分為兩類：第一類是微帶線是以芯片襯底地作為其地平面，第二類是互連線是以某一金屬層（通常是第一層金屬M(fèi)1）作為其地平面。對(duì)于這兩類互連線結(jié)構(gòu)而言，采用襯底地平面作為公共地平面的互連線比采用底層金屬M(fèi)1作為公共地的互連線更加靈活，因?yàn)樵趯?shí)際電路設(shè)計(jì)中受限于電路結(jié)構(gòu)，其底層金屬需要作為信號(hào)線進(jìn)行器件之間互連，這種情況下需要采用第一種結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)信號(hào)互連。然而，使用底層金屬M(fèi)1作地線可以隔離襯底，減少襯底的損耗，因此在集成電路設(shè)計(jì)中兩種傳輸線結(jié)構(gòu)相互并存。
圖1是互連線的模型圖，該模型為單π集總參數(shù)模型，與常規(guī)的電感π模型相似[2]。圖1中模型并聯(lián)部分表示寄生電容和電阻，串聯(lián)部分表示寄生電感和電阻。在設(shè)計(jì)窄帶寬的電路時(shí)，尤其是進(jìn)行放大器電路設(shè)計(jì)，關(guān)注的是工作頻率附近的參數(shù)。所以，方框模型可以視為獨(dú)立于工作頻率，即模型在窄帶電路設(shè)計(jì)中依舊可以使用。模型中，電感L2和電阻R2為互連線自身的分布電感和分布電阻，包含了集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)對(duì)電路的影響，而并聯(lián)電容和電阻為導(dǎo)線和襯底之間等效電容和等效電阻。
對(duì)于該傳輸線模型，其離散參數(shù)的矩陣近似于模擬值和實(shí)際測(cè)量值。根據(jù)等效規(guī)則，電路的參數(shù)都可由Y參數(shù)推導(dǎo)得出[3]。在得到每一模塊的參數(shù)后，串聯(lián)電感值，電阻值和并聯(lián)電容值都可以求出。
根據(jù)等效規(guī)則，工作頻帶的S參數(shù)應(yīng)該與模擬和測(cè)試值相同。根據(jù)對(duì)Y矩陣的定義，可以推導(dǎo)出以下公式：
式中，為工作頻率，函數(shù)real（）和函數(shù)imag（）分別代表著復(fù)數(shù)的實(shí)部和虛部。
以上的公式對(duì)于大多數(shù)傳輸線是可用的，無論傳輸線是否對(duì)稱。在大多數(shù)情況下，傳輸線的Y1，Y3部分在結(jié)構(gòu)上并不對(duì)稱。但是，當(dāng)兩端口的反射系數(shù)的值相同時(shí)，將出現(xiàn)對(duì)稱的特殊情況。此時(shí)傳輸線可化簡(jiǎn)為相同的部分，且可從電報(bào)方程中得出各元件的值。
在以上的分析中，電容，電感和電阻分別是頻率的參數(shù)，而本模型中各部分?jǐn)?shù)值處理成和頻率無關(guān)的數(shù)值，這將在電路設(shè)計(jì)中產(chǎn)生誤差。由于替換產(chǎn)生的誤差可有下面公式得出：
是仿真實(shí)際S參數(shù)值，是模型的S參數(shù)值。
通常，當(dāng)電路的頻率與正常工作頻率差異較大時(shí)，由于集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)，這個(gè)誤差將會(huì)造成更加嚴(yán)重的影響。依照上述的模型，我們利用電磁場(chǎng)仿真軟件ADS-Momentum構(gòu)建了互連傳輸線，該傳輸線采用第二類結(jié)構(gòu)，該傳輸線位于的TSMC 0.18um射頻/混合信號(hào)工藝的第6層金屬上，金屬線寬6um，線長(zhǎng)115um。工作頻率為10GHz，根據(jù)公式（2）得到集總參數(shù)模型各個(gè)參數(shù)如下：
為比較模型和實(shí)際電磁場(chǎng)仿真數(shù)據(jù)之間差別，公式（4）中各個(gè)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)模型的S參數(shù)和電磁場(chǎng)仿真軟件得到的S參數(shù)進(jìn)行了對(duì)比，圖2是采用電磁場(chǎng)仿真軟件ADS-Momentum和模型部分參數(shù)對(duì)比，從圖中可以看出，電磁場(chǎng)仿真軟件的模型和本模型S參數(shù)的誤差遠(yuǎn)離工作頻率段誤差越大，這是由于公式（2）中對(duì)頻率進(jìn)行了近似處理，遠(yuǎn)離工作頻率的點(diǎn)采用工作頻率來代替，由于這種代替，數(shù)據(jù)之間誤差越大。在其偏離中心頻率50%位置處（即15GHz和5GHz），模型和Momentum仿真數(shù)據(jù)的差異低于5%。在實(shí)際電路設(shè)計(jì)，通常需要電路設(shè)計(jì)師關(guān)注于傳輸線寄生參數(shù)對(duì)電路性能影響，此時(shí)工作頻率點(diǎn)附近模型簡(jiǎn)易、準(zhǔn)確是電路設(shè)計(jì)重點(diǎn)，而偏離工作頻率點(diǎn)的模型誤差在窄帶電路設(shè)計(jì)是可以接受的。
3 模型在射頻集成電路設(shè)計(jì)中應(yīng)用
CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì)是利用已有的有源器件和無源器件模型進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)的集成電路設(shè)計(jì)首先進(jìn)行電路原理圖設(shè)計(jì)，然后進(jìn)行電路版圖設(shè)計(jì)，再進(jìn)行參數(shù)提取，在參數(shù)提取中主要利用Cadence系統(tǒng)自身已有的仿真工具Assura來實(shí)現(xiàn)，在參數(shù)提取結(jié)束后再進(jìn)行后仿真。當(dāng)電路設(shè)計(jì)不滿足要求時(shí)，需要重復(fù)上述過程，然而，在上述的傳統(tǒng)集成電路中，由于參數(shù)提取過程的參數(shù)為分布參數(shù)，難以直接用于電路O計(jì)參數(shù)調(diào)整。同時(shí)，傳統(tǒng)的參數(shù)提取方法只進(jìn)行了電阻和電容的參數(shù)提取，而對(duì)寄生電感沒有進(jìn)行提取，這將導(dǎo)致電路設(shè)計(jì)的預(yù)期結(jié)果和實(shí)測(cè)結(jié)果出入較大。
為克服傳統(tǒng)的射頻集成電路設(shè)計(jì)的上述不足，可以將本論文的參數(shù)模型和集成電路設(shè)計(jì)相互結(jié)合。圖4是本論文的模型應(yīng)用于射頻集成電路設(shè)計(jì)中流程圖，在原理圖和版圖設(shè)計(jì)中依然類似于傳統(tǒng)的集成電路設(shè)計(jì)方法，但版圖設(shè)計(jì)及參數(shù)提取時(shí)將版圖中的互連線單獨(dú)分離出來，利用電磁場(chǎng)仿真軟件ADS-Momentum電磁場(chǎng)仿真，仿真結(jié)束后利用模型將其中的各個(gè)互連線參數(shù)提取出來，由于互連線的寬度、長(zhǎng)度和圖1中模型的各個(gè)參數(shù)密切相關(guān)，故將互連線得到的各個(gè)參數(shù)代入到版圖后仿真設(shè)計(jì)中，檢測(cè)互連線參數(shù)是否滿足電路設(shè)計(jì)要求。如果互連線參數(shù)滿足設(shè)計(jì)要求，則電路設(shè)計(jì)完成；否則，根據(jù)要求適當(dāng)調(diào)整互連線參數(shù)，并判斷調(diào)整后參數(shù)是否滿足電路設(shè)計(jì)要求，如果滿足電路設(shè)計(jì)要求，則依據(jù)重新設(shè)計(jì)的要求進(jìn)行版圖調(diào)整，完成電路設(shè)計(jì)。如果調(diào)整后的互連線參數(shù)依然不滿足電路設(shè)計(jì)要求，則依據(jù)要求進(jìn)行原理圖設(shè)計(jì)調(diào)整，然后依次重復(fù)上述過程。如圖3所示。
從上述的電路設(shè)計(jì)流程可以看出，在射頻集成電路設(shè)計(jì)中應(yīng)用本模型可以及時(shí)了解電路中的各個(gè)互連線參數(shù)，根據(jù)電路設(shè)計(jì)要求調(diào)整互連線參數(shù)，滿足電路設(shè)計(jì)要求。在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中，首先根據(jù)互連線提取參數(shù)判斷是否滿足電路設(shè)計(jì)要求，進(jìn)而根據(jù)設(shè)計(jì)要求調(diào)整互連線參數(shù)來滿足電路設(shè)計(jì)要求，這將簡(jiǎn)化傳統(tǒng)電路設(shè)計(jì)循環(huán)，減少電路設(shè)計(jì)時(shí)間，同時(shí)通過互連線參數(shù)調(diào)整將互連線作為電路設(shè)計(jì)的一部分進(jìn)行綜合考慮，這將有助于提高電路綜合性能。
4 結(jié)語
本文提出了適用電路后仿真的納米尺度互連線模型，該模型基于物理意義而構(gòu)建，模型的各個(gè)參數(shù)皆為集總參數(shù)，各個(gè)參數(shù)都可以通過電磁場(chǎng)仿真軟件而獲得并在集成電路設(shè)計(jì)中進(jìn)行調(diào)整。該集總參數(shù)的模型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于使用，適合于CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì)分析中使用，同時(shí)文中給出了該模型應(yīng)用于射頻集成電路設(shè)計(jì)的流程并分析了其特點(diǎn)，分析表明采用文中模型可以根據(jù)電路設(shè)計(jì)要求進(jìn)行調(diào)整互連線的尺寸，并可將互連線參數(shù)作為電路設(shè)計(jì)的一部分進(jìn)行綜合考慮，有助于提高電路綜合性能。
參考文獻(xiàn)
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[2]J.Rong， M.Copeland，“The modeling， characterization， and design of monolithic inductors for silicon RFICs”，IEEE Journal of Solid-state Circuits， Vol.32，No.3，pp.357-369，March 1997.
[3]廖承恩.微波技g基礎(chǔ)，西安：西安電子科技大學(xué)出版社，1994.12.
收稿日期：2016-09-28
集成電路設(shè)計(jì)實(shí)踐主要是提供學(xué)生一個(gè)實(shí)踐平臺(tái)，采用先進(jìn)的集成電路仿真軟件，將書本上的知識(shí)采用模擬的方法進(jìn)行加深理解。實(shí)踐內(nèi)容既是電路、模擬電子技術(shù)、數(shù)字電子技術(shù)以及課程設(shè)計(jì)中所學(xué)知識(shí)的應(yīng)用，又是與最前沿科技緊密聯(lián)系的。而傳統(tǒng)的教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)模式，缺乏對(duì)學(xué)生創(chuàng)造力的培養(yǎng)，也缺乏與前沿科技的聯(lián)系，因此需要進(jìn)行教學(xué)改革的探討和實(shí)踐。隨著教育改革的不斷深入，傳統(tǒng)的實(shí)踐教學(xué)中“以教師為中心”、“以灌輸為主要方式”的教學(xué)模式已無法適應(yīng)時(shí)代的要求。先進(jìn)的教學(xué)模式是人才培養(yǎng)的關(guān)鍵措施。研究型教學(xué)模式，又稱為研討式教學(xué)模式，是指教師以課程內(nèi)容和學(xué)生的知識(shí)積累為基礎(chǔ)，引導(dǎo)學(xué)生創(chuàng)造性地運(yùn)用知識(shí)、自主地發(fā)現(xiàn)問題、研究問題和解決問題，以學(xué)生為中心，以知識(shí)掌握為基礎(chǔ)，以能力培養(yǎng)為主線，以提高素質(zhì)為目的的一種新模式。集成電路設(shè)計(jì)實(shí)踐同樣需要采用先進(jìn)的教學(xué)方式，提高學(xué)生的創(chuàng)新能力，培養(yǎng)研究型IC設(shè)計(jì)人才。
2研究型實(shí)踐教學(xué)模式的作用分析
集成電路設(shè)計(jì)實(shí)踐引入研究型實(shí)踐教學(xué)模式，可以使相關(guān)領(lǐng)域的學(xué)生真正實(shí)現(xiàn)學(xué)有所用，不僅學(xué)習(xí)了集成電路設(shè)計(jì)的軟件知識(shí)，同時(shí)可以將課堂的理論知識(shí)通過工藝模型、電路設(shè)計(jì)、仿真方法來復(fù)現(xiàn)，從而更深入的理解理論知識(shí)，而且可以通過一些電路實(shí)例來解釋生活中的一些現(xiàn)象，激發(fā)學(xué)習(xí)的興趣。集成電路設(shè)計(jì)是實(shí)踐性很強(qiáng)的一個(gè)方向，要求將工藝、器件、電路、版圖四個(gè)方面的理論課程融會(huì)貫通，而傳統(tǒng)的實(shí)踐教學(xué)旨在加強(qiáng)學(xué)生對(duì)軟件的認(rèn)識(shí)，忽略對(duì)理論內(nèi)容的加深與貫通。通過研究型實(shí)踐教學(xué)模式的開展，可以在保證教學(xué)大綱不變的前提下，通過選擇適用性較強(qiáng)的實(shí)踐內(nèi)容，使學(xué)生一方面能夠?qū)⒏鏖T理論課的知識(shí)加深及貫通，另一方面可以使學(xué)生接觸到用人單位感興趣的課題內(nèi)容，有利于學(xué)生加強(qiáng)實(shí)踐的動(dòng)力和持續(xù)進(jìn)步。通過研究型實(shí)踐，對(duì)學(xué)校而言，可以培養(yǎng)更優(yōu)秀學(xué)生；對(duì)學(xué)生而言，可以掌握前沿知識(shí)、促進(jìn)就業(yè)。研究型實(shí)踐成果的實(shí)現(xiàn)為學(xué)生的晉升、發(fā)展提供支持。學(xué)生的實(shí)踐研究成果如能公開發(fā)表或獲獎(jiǎng)，能解決實(shí)際工作中的問題，這無形中為學(xué)生在工作崗位上的晉升、發(fā)展增加籌碼。這在最大程度上激發(fā)學(xué)生的實(shí)踐興趣，是其他任何實(shí)踐模式都不可比擬的。同時(shí)，研究型實(shí)踐教學(xué)鼓勵(lì)學(xué)生多看文獻(xiàn)、多寫總結(jié)報(bào)告，這也為學(xué)生撰寫本科畢業(yè)論文打下良好的基礎(chǔ)。
3研究型實(shí)踐教學(xué)模式的具體實(shí)施
3．1課程結(jié)構(gòu)優(yōu)化
指導(dǎo)學(xué)生接觸各類資料，能夠提出問題，進(jìn)而解決問題以掌握知識(shí)、應(yīng)用知識(shí)，完成對(duì)知識(shí)的一個(gè)探求過程；對(duì)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整和完善，使課程體系更全面更科學(xué)，更能貼近行業(yè)發(fā)展，更能體現(xiàn)學(xué)生的主動(dòng)性。
3.2采用課堂討論進(jìn)行專題研討的教學(xué)方法
在研究型實(shí)踐教學(xué)模式中，師生互動(dòng)有助于學(xué)生對(duì)基本概念、基本理論、基本方法的理解和掌握。根據(jù)課程需要，結(jié)合國(guó)內(nèi)外的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)，采用與行業(yè)內(nèi)吻合的實(shí)驗(yàn)軟件，挑選合適的電路原型做仿真設(shè)計(jì)，并共同探討電路的優(yōu)化方案。
3．3專業(yè)資料查詢能力培養(yǎng)
為學(xué)生提供研究資料或指導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行資料查詢、整理，鼓勵(lì)學(xué)生從圖書館、書店、網(wǎng)絡(luò)等各種途徑查閱文獻(xiàn)資料，以充實(shí)自己的研究基礎(chǔ)。提醒學(xué)生要對(duì)已收集的資料進(jìn)行批判性的研究，去偽存真，指導(dǎo)學(xué)生從這些資料中總結(jié)、分析、解釋與實(shí)踐研究課題相關(guān)的理論、知識(shí)經(jīng)驗(yàn)以及前人的研究成果。
3．4指導(dǎo)學(xué)生撰寫專題論文（報(bào)告）
在研究型實(shí)踐教學(xué)過程中，指導(dǎo)學(xué)生通過論文、調(diào)查報(bào)告、工作研究、分析報(bào)告、可行性論證報(bào)告等形式記錄實(shí)踐研究成果。在撰寫論文時(shí)，要求學(xué)生要了解實(shí)踐課題研究報(bào)告的一般撰寫格式；要先擬訂論文的寫作提綱，組織好論文的結(jié)構(gòu)，做到綱舉目張；會(huì)用簡(jiǎn)練、嚴(yán)謹(jǐn)、準(zhǔn)確的語言表達(dá)自己的思想，不追求文章的長(zhǎng)短。指導(dǎo)學(xué)生開展專題電路討論，由學(xué)生根據(jù)自己感興趣的課題來查找文獻(xiàn)資料，進(jìn)行研究，完成電路設(shè)計(jì)和仿真，最后完成專題論文的撰寫。
3．5鼓勵(lì)學(xué)生參與課題研究
為調(diào)動(dòng)學(xué)生參與科研創(chuàng)新活動(dòng)的積極性，激發(fā)學(xué)生的創(chuàng)新思維，提高學(xué)生實(shí)踐創(chuàng)新能力，鼓勵(lì)學(xué)生參加老師的課題，鍛煉學(xué)生的動(dòng)手能力，培養(yǎng)“研究型”的思維模式。
4研究型實(shí)踐教學(xué)模式對(duì)教師和學(xué)生的要求
4．1研究型實(shí)踐教學(xué)模式對(duì)教師的要求
研究型實(shí)踐教學(xué)模式的實(shí)施對(duì)任課教師提出了新的要求：一是要熟練地掌握課程的基礎(chǔ)知識(shí)和內(nèi)在結(jié)構(gòu)，還要掌握與課程相關(guān)的專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)和實(shí)踐的基本技能；二是要掌握學(xué)科最新信息，不斷更新知識(shí)，了解課程所涉及學(xué)科的最新動(dòng)態(tài)和取得的最新研究成果；三是要熟練運(yùn)用科學(xué)研究的方法和手段。這些都對(duì)教師提出了更高的要求。
4.2研究型實(shí)踐教學(xué)模式對(duì)學(xué)生的要求
關(guān)鍵詞 電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)；實(shí)習(xí)基地；定向培養(yǎng)
中圖分類號(hào)：G642.0 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：B
文章編號(hào)：1671-489X（2014）02-0102-02
Exploration of School Enterprise Cooperation Mode of Electronic Science and Technology Specialty//Shi Jianxing， Xu Yanbin
Abstract Starting from the characteristics of Electronic Science and technology specialty， the training mode of school enterprise cooperation as a breakthrough point， to improve the students’ practical ability and training directly working talents as the goal， two aspects were summarized from the practice base construction and targeted training， explore the new road of school enterprise cooperation.
Key words electronic science and technology specialty； practice base； targeted training
2000年6月，國(guó)務(wù)院印發(fā)《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（國(guó)發(fā)2000〔18號(hào)〕），明確提出軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)是國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，是國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)信息化的重要基礎(chǔ)[1]。大力發(fā)展我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)，是克服我國(guó)集成電路人才短缺，抓緊培養(yǎng)集成電路專業(yè)人才方面的重大舉措。隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，國(guó)家和企業(yè)對(duì)集成電路各類人才的需求越來越多，對(duì)人才的要求也越來越高，這些都對(duì)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的本科教學(xué)提出了新的挑戰(zhàn)。高等學(xué)校在人才培養(yǎng)的模式上必須進(jìn)行有效的改革，校企合作體制的實(shí)施和更深層次的建設(shè)是高校人才培養(yǎng)模式改革的重要方面之一。通過校企合作體制的開展和教學(xué)質(zhì)量的不斷提高，使畢業(yè)生在準(zhǔn)備就業(yè)的時(shí)候不僅具有深厚的理論功底，而且能夠?qū)W習(xí)和掌握相關(guān)的設(shè)計(jì)軟件，具有相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)和解決實(shí)際問題的能力，了解行業(yè)背景和企業(yè)需求，為培養(yǎng)直接上崗型人才打下了良好的基礎(chǔ)。
1 學(xué)校目前存在的問題
電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)是為國(guó)家和社會(huì)培養(yǎng)集成電路產(chǎn)業(yè)人才的重要專業(yè)分類。河北大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的學(xué)生主要學(xué)習(xí)集成電路工藝和集成電路設(shè)計(jì)兩大類課程，其中集成電路設(shè)計(jì)又包括電路設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)。通過兩年的專業(yè)基礎(chǔ)課和專業(yè)課的講授，學(xué)生可以了解和掌握集成電路制造過程中的各種工藝加工工序（如硅片的清洗、氧化、光刻和擴(kuò)散等）、集成電路中常用的設(shè)計(jì)方法（如全定制、半定制、CPLD和FPGA等）和集成電路基本單元的版圖結(jié)構(gòu)（如電阻、電容、BJT管和MOS管等）。雖然在理論授課的基礎(chǔ)上也開設(shè)了相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)課程，但是實(shí)驗(yàn)軟件落后，以及與社會(huì)生產(chǎn)實(shí)際相脫節(jié)的狀態(tài)十分嚴(yán)重。這里以集成電路版圖實(shí)驗(yàn)為例來加以說明。
在集成電路版圖實(shí)驗(yàn)教學(xué)過程中，由于經(jīng)費(fèi)的限制，只能通過免費(fèi)或者低級(jí)的版圖繪制軟件來完成實(shí)驗(yàn)教學(xué)工作。由于使用軟件功能上的落后，沒有辦法讓學(xué)生更好地了解如何對(duì)版圖進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查和電學(xué)規(guī)則檢查，不能清楚地知道設(shè)計(jì)規(guī)程檢查文件，不明白版圖后仿真和電路圖與版圖的比較過程中需要注意哪些事項(xiàng)，不知道實(shí)際生產(chǎn)中相關(guān)元件的版圖繪制方法，只能簡(jiǎn)單地繪制出某個(gè)元器件的版圖，造成學(xué)生只是學(xué)習(xí)到了版圖設(shè)計(jì)中的一點(diǎn)兒皮毛，相關(guān)知識(shí)匱乏，不能很好地滿足企業(yè)的需求。
2 校企合作方案探索
實(shí)習(xí)基地的建立 2003年7月，教育部下發(fā)《教育部、科技部關(guān)于批準(zhǔn)有關(guān)高等學(xué)校建設(shè)國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地的通知》，通知中要求高校要大力推進(jìn)“國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地”的教學(xué)改革[1]。為了培養(yǎng)應(yīng)用型的集成電路設(shè)計(jì)人才，了解企業(yè)需求，河北大學(xué)跟北京芯愿景軟件有限公司保定分公司簽訂了校企合作協(xié)議。這既能讓學(xué)生接觸到先進(jìn)的設(shè)計(jì)軟件，增長(zhǎng)自身技能，又能為企業(yè)培養(yǎng)所需的人才。
在簽訂了校企合作協(xié)議之后，雙方又制定了詳細(xì)的實(shí)習(xí)基地實(shí)施方案，主要從以下幾個(gè)方面入手。
首先，暑期畢業(yè)實(shí)習(xí)。學(xué)校的畢業(yè)生需要在大三之后大四之前的暑期進(jìn)入實(shí)習(xí)單位完成畢業(yè)實(shí)習(xí)的工作。實(shí)習(xí)基地建立之后，企業(yè)可以接納電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的學(xué)生進(jìn)入單位實(shí)習(xí)并對(duì)學(xué)生提供培訓(xùn)。學(xué)生要嚴(yán)格按照企業(yè)的上下班制度等要求自己。在為期一個(gè)月的實(shí)習(xí)過程中，學(xué)生開闊了眼界，增長(zhǎng)了見識(shí)，掌握了實(shí)際生產(chǎn)中相關(guān)元件的版圖實(shí)現(xiàn)方法，明白了集成電路產(chǎn)業(yè)中各個(gè)環(huán)節(jié)的作用和實(shí)現(xiàn)方法，為就業(yè)奠定了良好的基礎(chǔ)。
其次，雙向選擇，深入了解。在暑假畢業(yè)實(shí)習(xí)完成之后，企業(yè)對(duì)實(shí)習(xí)的學(xué)生進(jìn)行了綜合評(píng)定，學(xué)生也對(duì)企業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)有了進(jìn)一步的認(rèn)識(shí)。通過雙向選擇的方式，學(xué)生可以在大四下學(xué)期畢業(yè)設(shè)計(jì)階段進(jìn)入實(shí)習(xí)基地進(jìn)行更深層次的學(xué)習(xí)。畢業(yè)設(shè)計(jì)實(shí)行雙導(dǎo)師制，由學(xué)校的指導(dǎo)教師和企業(yè)的指導(dǎo)教師共同指導(dǎo)學(xué)生完成畢業(yè)設(shè)計(jì)和畢業(yè)論文，保障學(xué)生能夠順利畢業(yè)。這既能增加學(xué)生的工作經(jīng)驗(yàn)，又能為企業(yè)本身培養(yǎng)所需的人才。
最后，除本科生的實(shí)習(xí)以外，還對(duì)集成電路工程的碩士生制定了實(shí)習(xí)計(jì)劃，并聘請(qǐng)了北京芯愿景軟件有限公司的兩名高級(jí)工程師擔(dān)任學(xué)校的兼職碩士生導(dǎo)師，對(duì)集成電路工程專業(yè)的碩士生進(jìn)行聯(lián)合培養(yǎng)。企業(yè)根據(jù)不同層次的學(xué)生提供不同的培訓(xùn)方案，以滿足各自的需要。
定向培養(yǎng)方案 校企合作的目的不僅僅是為了提高學(xué)生的能力，為就業(yè)打好基礎(chǔ)，也是為了為合作企業(yè)培養(yǎng)合格的人才，實(shí)現(xiàn)雙贏。因此，在專業(yè)課程教學(xué)過程中，根據(jù)校企合作協(xié)議以及市場(chǎng)對(duì)人才培養(yǎng)的需要，高校應(yīng)該適時(shí)地調(diào)整教學(xué)方案。結(jié)合學(xué)校的實(shí)際情況，在本科教學(xué)過程中，從專業(yè)課開始到專業(yè)選修課，都融入了實(shí)際生產(chǎn)中會(huì)用到的相關(guān)內(nèi)容。
如在數(shù)字集成電路原理與設(shè)計(jì)以及模擬集成電路原理與設(shè)計(jì)兩個(gè)專業(yè)課的講授過程中，凡是涉及集成電路設(shè)計(jì)方法和版圖設(shè)計(jì)部分的內(nèi)容時(shí)，都融入了芯愿景有限公司的相關(guān)書籍或資料作為補(bǔ)充內(nèi)容，讓學(xué)生更加直觀地了解企業(yè)在進(jìn)行集成電路設(shè)計(jì)時(shí)是如何進(jìn)行綜合考慮的。在數(shù)字集成電路綜合實(shí)驗(yàn)和集成電路CAD課程設(shè)計(jì)這兩門實(shí)驗(yàn)課中，采用芯愿景公司的軟件和素材進(jìn)行案例教學(xué)，讓學(xué)生直觀地感受到芯片制作過程中模塊安排、虛擬結(jié)構(gòu)單元、數(shù)字單元、模擬單元、有源器件、無源器件以及布局布線的相關(guān)知識(shí)，加深對(duì)集成電路芯片設(shè)計(jì)的認(rèn)識(shí)。在集成電路版圖設(shè)計(jì)和集成電路版圖設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)兩門課程的開始過程中，從企業(yè)聘請(qǐng)了經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師進(jìn)入課堂幫助任課教師進(jìn)行理論教學(xué)和實(shí)驗(yàn)教學(xué)。
以上一系列的培養(yǎng)方案，使學(xué)生對(duì)集成電路設(shè)計(jì)流程有了更清楚的認(rèn)識(shí)，讓學(xué)生了解到了企業(yè)對(duì)畢業(yè)生的需求，為合作企業(yè)培養(yǎng)了所需的人才，使企業(yè)減少了招聘風(fēng)險(xiǎn)，降低了成本。
3 結(jié)束語
校企合作的實(shí)踐教學(xué)模式，帶給學(xué)生的不僅是對(duì)書本知識(shí)的深化和技能技巧的訓(xùn)練，更是一次記憶深刻的體驗(yàn)，是一次寫在記憶中的成長(zhǎng)經(jīng)歷[2]。校企合作協(xié)議簽訂半年多來，經(jīng)過2009級(jí)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)學(xué)生在畢業(yè)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)中的檢驗(yàn)，學(xué)生深刻地感受到在理論知識(shí)與實(shí)際應(yīng)用相結(jié)合的過程中自己還存在哪些方面的欠缺，校園里所學(xué)習(xí)的理論知識(shí)在實(shí)際工作中發(fā)揮了哪些作用。實(shí)習(xí)經(jīng)歷雖然短暫，但是學(xué)生收獲頗豐，最終都找到了理想的工作。
筆者深信，隨著校企合作的進(jìn)一步開展和合作的進(jìn)一步深入，致力于把合作真真正正地落到實(shí)處，帶給學(xué)生的將是更加豐富的工作經(jīng)驗(yàn)和待遇優(yōu)越的就業(yè)崗位，帶給企業(yè)的將是源源不斷的就業(yè)生力軍和企業(yè)品牌的進(jìn)一步推廣。
參考文獻(xiàn)
創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)是各個(gè)大學(xué)正在認(rèn)真實(shí)施及探討的一個(gè)重要課題，也是擺在教師和學(xué)生面前的一項(xiàng)首要任務(wù)，創(chuàng)新性實(shí)驗(yàn)的開發(fā)需要?jiǎng)?chuàng)新性的教學(xué)平臺(tái)，幾年來，我們根據(jù)電子專業(yè)的教學(xué)特點(diǎn)，將電子電路專業(yè)的實(shí)驗(yàn)同大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)實(shí)踐項(xiàng)目、大學(xué)生挑戰(zhàn)杯項(xiàng)目和畢業(yè)論文設(shè)計(jì)實(shí)踐這一系列創(chuàng)新內(nèi)容相結(jié)合［1］，實(shí)現(xiàn)了從“傳統(tǒng)教育模式”轉(zhuǎn)型為“創(chuàng)新教育模式”［2－3］．例如：設(shè)計(jì)PNP和NPN三極管電流分配關(guān)系演示實(shí)驗(yàn)儀，設(shè)計(jì)聲光控傳感器件性能的演示電路，設(shè)計(jì)可控硅導(dǎo)通特性演示電路，設(shè)計(jì)COMS集成電路特性演示電路等先進(jìn)行電路的仿真實(shí)驗(yàn)，進(jìn)而制作成有創(chuàng)意的演示教具，開發(fā)設(shè)計(jì)了一系列創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)內(nèi)容，既培養(yǎng)了學(xué)生的創(chuàng)新精神，又為實(shí)驗(yàn)教學(xué)奠定了一定基礎(chǔ)．
2創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)電路舉例
幾年來山西師范大學(xué)物信學(xué)院電子專業(yè)通過開放性多種實(shí)驗(yàn)訓(xùn)練方式，學(xué)生制作出有特色的多種創(chuàng)新電路及創(chuàng)新電路實(shí)驗(yàn)演示板，例如：圖1是用數(shù)字集成電路制作的三極管電流分配關(guān)系演示儀，接通電源，該演示儀能模擬PNP和NPN三極管3個(gè)電極電流的流動(dòng)Ie＝Ib＋I(xiàn)c，使學(xué)生對(duì)三極管的結(jié)構(gòu)、特性達(dá)到深刻的理解．圖2是圖1三極管電流分配關(guān)系演示儀圖2單雙向可控硅導(dǎo)通性能演示實(shí)驗(yàn)裝置用數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)制作的單雙向可控硅導(dǎo)通性能演示實(shí)驗(yàn)裝置［4－5］．圖3是單向可控硅導(dǎo)通性能模擬演示圖，圖4是雙向可控硅導(dǎo)通性能模擬演示圖，該演示裝置如果將充電開關(guān)按下，電路左邊的充電回路就有閃閃發(fā)光的充電電流在流動(dòng)，如果將觸發(fā)開關(guān)按下，右邊回路里就有閃閃發(fā)光可控硅導(dǎo)通電流在流動(dòng)，單向可控硅電流只能有一個(gè)方向?qū)娏?，而雙向可控硅可以有2種觸發(fā)方式，控制2個(gè)方向?qū)娏髟诹鲃?dòng)，模擬導(dǎo)通電流如圖3～4所示，演示效果形象逼真，電路設(shè)計(jì)說服力強(qiáng)．圖5是聲光控特性原理設(shè)計(jì)框圖，圖6是聲光控特性演示實(shí)驗(yàn)裝置圖，該實(shí)驗(yàn)裝置可通過聲光傳感器將聲光信號(hào)送給功放電路及可控硅導(dǎo)通電路分別將聲光傳感器的導(dǎo)通特性通過1組發(fā)光管進(jìn)行形象演示，使學(xué)生對(duì)聲光傳感器件的特性加深了理解．圖7是用多種數(shù)字集成塊巧妙組合而成的CMOS門電路邏輯功能特性演示實(shí)驗(yàn)裝置，該裝置是對(duì)數(shù)字電路的綜合應(yīng)用，用譯碼器、數(shù)碼管顯示器、555時(shí)基電路、計(jì)數(shù)器以及多個(gè)控制開關(guān)組成的數(shù)字門電路特性演示器，它可將各種門電路的輸出狀態(tài)通過發(fā)光管亮暗的方式、數(shù)碼管顯示“0”“1”的方式、計(jì)數(shù)器輸出端LED依次流動(dòng)發(fā)光的方式，同時(shí)演示給學(xué)生，使學(xué)生對(duì)門電路的功能特性達(dá)到深刻的理解．圖8、圖9是學(xué)生制作的中學(xué)物理演示實(shí)驗(yàn)內(nèi)容，圖8將中學(xué)物理中二極管的單向?qū)?、電?個(gè)振動(dòng)波的合成、聲波信號(hào)的演示、電磁感應(yīng)現(xiàn)象等中學(xué)物理實(shí)驗(yàn)電路用電子電路進(jìn)行模擬演示，當(dāng)有信號(hào)時(shí)電路右邊的輸出端接在二極管倍壓整流電路的輸入端，輸出端接的是1組高亮發(fā)光管，顯示感應(yīng)電流的大小、方向等現(xiàn)象，顯示方式生動(dòng)活潑、形象逼真．圖7CMOS門電路邏輯功能演示裝置電路顯示圖10是仿真電路的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，它將圖7的CMOS門電路邏輯功能演示裝置進(jìn)行仿真演示，圖8中學(xué)物理實(shí)驗(yàn)演示儀裝置圖9LED型倍壓整流電路演示板從另一個(gè)方面演示了門電路邏輯功能特性，也是對(duì)實(shí)驗(yàn)電路的一種創(chuàng)新設(shè)計(jì)，可以將各種創(chuàng)新電路都可以進(jìn)行計(jì)算機(jī)仿真演示，這里就不一一例舉
3結(jié)束語
關(guān)鍵詞：CMOS電路；瞬態(tài)電流；測(cè)試
中圖分類號(hào)：TN4文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1009-3044(2008)23-1063-02
On Method of Testing the Transient Current of a CMOS Circuit
SHAO Tao
(Lenovo Group Limited,Beijing 100085, China)
Abstract: IC design and test is one of the major research areas in computer technology today. Testing based on stuck at fault model is insufficient for high performance ICs, especially for CMOS circuits. Using IDDQ testing can reduce the cost of testing and enhance the reliability of the chip remarkably. However, some defects, such as some stuck-open defects in CMOS ICs still cannot be detected by IDDQ testing or by logic testing, and at the same time it faced some challenges of increasing leak electric current in deep submicro technology. Due to these limitations, in order to improve the fault coverage of the testing to meet the demands of people, the dynamic current (IDDT) testing was proposed to detect some faults that cannot be detected by other testing methods.
Key words: COMS Circuit; transient current; Test
1 引言
集成電路是一塊微小的硅片，它包含有幾百萬個(gè)電子元件。術(shù)語IC隱含的含義是將多個(gè)單獨(dú)的集成電路集成到一個(gè)電路中，產(chǎn)生一個(gè)十分緊湊的器件。通常認(rèn)為集成電路就是芯片，而為計(jì)算機(jī)應(yīng)用設(shè)計(jì)的IC則稱為計(jì)算機(jī)芯片。CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，它指的是一種特殊類型的電子集成電路(IC)[1]。
集成電路技術(shù)的高速發(fā)展使得一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以集成在一個(gè)芯片中。有人說，這類芯片應(yīng)該用“集成系統(tǒng)”這一名詞來代替“集成電路”。研究計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要課題變成怎樣用好集成在一個(gè)芯片內(nèi)的幾百萬上千萬晶體管。集成電路和軟件成為當(dāng)今計(jì)算機(jī)技術(shù)的兩大主題。特別是早在80年代初期提出的穩(wěn)態(tài)電流測(cè)試(IDDtesting)就已逐漸成為了工業(yè)界接受的測(cè)試方法。穩(wěn)態(tài)電流測(cè)試可以大幅度降低測(cè)試成本，提高芯片的可靠性。集成電路設(shè)計(jì)與測(cè)試自然成為計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)工作者關(guān)心的重要方向[2]。
但是CMOS電路中的某些故障，例如開路故障，仍然無法用穩(wěn)態(tài)電流測(cè)試或邏輯測(cè)試的方法檢測(cè)出來，而且其還面臨著深亞微米技術(shù)中漏電流日益劇增的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。正是由于這些方面的局限性，人們提出了瞬態(tài)電流測(cè)試方法(IDDT testnig)，以便發(fā)現(xiàn)一些其他測(cè)試方法所不能發(fā)現(xiàn)的故障，進(jìn)而從總體上進(jìn)一步提高測(cè)試的故障覆蓋率，滿足人們對(duì)高性能集成電路的需要。
而所謂CMOS數(shù)字集成電路的瞬態(tài)電流是指當(dāng)電路處于過渡過程期間時(shí)，由于電路中PMOS管和NMOS管同時(shí)導(dǎo)通以及電路中等效電容的充放電，使得電流變化劇烈而且復(fù)雜，人們稱之為瞬態(tài)電流。目前，瞬態(tài)電流測(cè)試一般采用的方法包括：數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)和對(duì)瞬態(tài)電流平均值的分析。
2 當(dāng)前集成電路常用測(cè)試方法
1959年，Elderd[3]提出了世界上首篇關(guān)于組合電路的測(cè)試報(bào)告，并將此方法用于第一代的電子管計(jì)算機(jī)Datamatci-1000的診斷中，從此揭開了數(shù)字系統(tǒng)測(cè)試的序幕。經(jīng)過研究人員近半個(gè)世紀(jì)的不懈努力，逐漸形成了一系列的測(cè)試方法，并且廣泛的應(yīng)用在工業(yè)領(lǐng)域。這些測(cè)試方法主要包括：電壓測(cè)試方法和穩(wěn)態(tài)電流測(cè)試方法。進(jìn)入本世紀(jì)以來，為了適應(yīng)電子電路高速化，大規(guī)?；l(fā)展的需求，研究人員又提出了新的測(cè)試方法。其中最具代表性的是瞬態(tài)電流測(cè)試方法和全速電流測(cè)試方法。
2.1 電壓測(cè)試方法
電壓測(cè)試技術(shù)主要是指通過觀察無故障電路和故障電路的原始輸出信號(hào)來檢測(cè)故障。它主要是針對(duì)固定型故障的，通過改進(jìn)電壓測(cè)試方法也可以用于檢測(cè)時(shí)滯故障。
通常，被測(cè)電路CUT(Circuit Under test)具有n個(gè)原始輸入和m個(gè)原始輸出（如圖1），設(shè)該電路正常時(shí)輸出為F(X)，存在某故障a時(shí)輸出為Fa(X)，則可以檢測(cè)故障a的條件是：
即存在輸入X，使得故障電路的輸出信號(hào)和無故障電路的輸出信號(hào)不同。目前，電壓測(cè)試生成和故障模擬技術(shù)均已十分成熟。電壓測(cè)試在開關(guān)級(jí)和門級(jí)的研究已比較完善，并在工業(yè)界得到廣泛的應(yīng)用。通過廣大科研人員對(duì)電壓測(cè)試方法的不斷改進(jìn)[4]，該方法已經(jīng)可以檢測(cè)多種故障類型，成為檢測(cè)開關(guān)級(jí)和門級(jí)故障應(yīng)用最廣的測(cè)試方法。
2.2 電流測(cè)試方法
提出電流測(cè)試技術(shù)的目的不是要取代傳統(tǒng)的邏輯值測(cè)試方法，而是為了彌補(bǔ)電壓測(cè)試的不足，作為電壓測(cè)試方法的補(bǔ)充，進(jìn)一步提高故障覆蓋率，保證集成電路產(chǎn)品的高可靠性。
IDDQ測(cè)試可以檢測(cè)很多類型的故障，比如某些晶體管開路故障、晶體管短路故障、晶體管柵氧化層短接故障、互連橋接故障以及CMOS制造工藝中限制成品率的許多缺陷等等。這些故障都是傳統(tǒng)的電壓測(cè)試難以檢測(cè)出來的故障。因此，IDDQ方法作為邏輯測(cè)試方法的補(bǔ)充，可以有效的提高故障覆蓋率、產(chǎn)品可靠性以及降低產(chǎn)品成本，成為一種工業(yè)界廣泛使用的測(cè)試技術(shù)。CMOS電路靜態(tài)電流非常小，在25℃溫度下的典型值為1~500nA.一個(gè)CMOS門的長(zhǎng)時(shí)間平均功耗用下式表示：
為了要檢測(cè)CMOS電路中的某一個(gè)故障，IDDQ測(cè)試向量必須在該故障條件下制造一條或多條由VDD到Vss的低電阻通路。這就是IDDQ測(cè)試產(chǎn)生.這相當(dāng)于傳統(tǒng)的測(cè)試產(chǎn)生中故障的激活和控制。但是，和傳統(tǒng)測(cè)試產(chǎn)生不一樣的是：IDDQ測(cè)試產(chǎn)生不需要把故障效應(yīng)傳播到原始輸出端。因?yàn)?，IDDQ的觀測(cè)并不在原始輸出端。有3種類型的IDDQ測(cè)試集。第1種是用傳統(tǒng)的電壓測(cè)試的測(cè)試集，對(duì)每一個(gè)邏輯測(cè)試，都測(cè)IDDQ。由于IDDQ測(cè)試比較慢，這種辦法不可取。第2種是選少于1%的邏輯測(cè)試，加測(cè)IDDQ。最近國(guó)內(nèi)開發(fā)的QUIETEST系統(tǒng)[5]選擇測(cè)試向量，使得IDDQ測(cè)試能檢測(cè)每個(gè)晶體管柵、漏、源和體之間的所有6種橋接故障。目前工業(yè)界都采用選擇方式，對(duì)4萬門的時(shí)序電路，可以做到既經(jīng)濟(jì)又有效。
2.3 瞬態(tài)電流測(cè)試方法
該方法于上世紀(jì)90年代中期提出，并且通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了這種方法在理論上是可行的。瞬態(tài)電流是指當(dāng)電路在輸入發(fā)生變化時(shí)，電路內(nèi)部各點(diǎn)隨之變化，在各點(diǎn)狀態(tài)穩(wěn)定下來之前，由于電路中PMOS管和NMOS管可能在瞬間同時(shí)導(dǎo)通以及電路中電容的充放電，電源到地之間產(chǎn)生劇烈而復(fù)雜變化的電源電流。其測(cè)試原理與穩(wěn)態(tài)電流類似，主要通過故障狀態(tài)下的瞬態(tài)電流與正常狀態(tài)下的瞬態(tài)電流的差別來檢測(cè)故障。但是由于瞬態(tài)電流測(cè)試方法所觀測(cè)的對(duì)象與傳統(tǒng)的測(cè)試方法(電壓、穩(wěn)態(tài)電流等)不同，所以使用這種方法可能檢測(cè)到某些用傳統(tǒng)方法不可檢測(cè)的故障。
3 基于CMOS電路的瞬態(tài)電流測(cè)試
CMOS電路中晶體管的開路故障(stuck-open fault)不易用電壓測(cè)試或穩(wěn)態(tài)電流測(cè)試進(jìn)行檢測(cè)，而瞬態(tài)電流測(cè)試則可以比較容易地把它們檢測(cè)出來。
有研究認(rèn)為應(yīng)用遺傳算法對(duì)CMOS電路中的開路故障進(jìn)行測(cè)試生成，但應(yīng)用此法時(shí)間開銷非常大。雖有人對(duì)該算法進(jìn)行了進(jìn)化，并對(duì)電路中的每一個(gè)故障都做了一次測(cè)試生成，但事實(shí)上電路中有很多故障相互之間存在某種關(guān)系，因此該法時(shí)間效率比依然較低。
3.1 測(cè)試生成標(biāo)準(zhǔn)
由于邏輯門的實(shí)際時(shí)間延遲具有不確定性，可能導(dǎo)致使用固定時(shí)間延遲的測(cè)試生成方法所生成的測(cè)試向量失效，即在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中，這些測(cè)試向量可能無法激活故障，或者不能使無故障電路與故障電路之間產(chǎn)生預(yù)想的足夠大的電流差。所以測(cè)試生成應(yīng)該遵循以下原則：
1）用穩(wěn)定跳變激活故障，并使故障門的旁路為非控制值；
2）測(cè)試向量應(yīng)遵循規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)原則；
3）測(cè)試向量要使測(cè)度值盡可能的大。
3.2 故障激活
如果要檢測(cè)CMOS管的開路故障，除了在與故障晶體管相連的輸入上有一個(gè)跳變外，其它輸入也可能存在跳變。當(dāng)與故障晶體管相連的輸入端上的跳變，出現(xiàn)在其他輸入端發(fā)生跳變之前，則我們希望測(cè)試的那個(gè)故障將不能被激活?，F(xiàn)在我們以兩輸入與非門為例進(jìn)行說明，假設(shè)與非門有N2開路故障。在某一特定門延時(shí)條件下，如果激活故障的波形如圖2所示，根據(jù)表1中的規(guī)定，該波形可以激活故障。
3 結(jié)束語
由于瞬態(tài)電流測(cè)試的研究目前還處在初始階段，還沒有一個(gè)比較好的測(cè)試生成算法。目前，瞬態(tài)電流測(cè)試產(chǎn)生采用的算法主要有：隨機(jī)產(chǎn)生一局部搜索算法、遺傳算法、利用電路信息的啟發(fā)式搜索算法。以上的算法各有其優(yōu)缺點(diǎn)，隨機(jī)產(chǎn)生一局部搜索算法考
慮門延時(shí)的影響且實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，但故障覆蓋率不高；遺傳算法故障覆蓋率較高并考慮了門延時(shí)的作用，但時(shí)間開銷較大；利用電路信息的啟發(fā)式搜索算法在保持一定故障覆蓋率的基礎(chǔ)上時(shí)間效率較好，但沒有考慮門延時(shí)的影響。本文在靜態(tài)下對(duì)開路故障進(jìn)行瞬態(tài)電流測(cè)試生成，然后在考慮延時(shí)變化的情況下對(duì)開路故障進(jìn)行故障模擬。
參考文獻(xiàn)：
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關(guān)鍵詞：斜坡發(fā)生器 電流舵 TDC
中圖分類號(hào)：TN792 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1007-9416（2016）10-0153-01
近年恚隨著CMOS集成電路工藝水平和設(shè)計(jì)技術(shù)的不斷發(fā)展，CMOS圖像傳感器得到迅速的發(fā)展。普通單斜模數(shù)轉(zhuǎn)換器（Single-Slope ADC）以其優(yōu)越的性能廣泛應(yīng)用，但其速度限制了它在高速高精度CMOS圖像傳感器中的應(yīng)用，而Time to Digital Single-Slope ADC（TDSS ADC）既保留了普通單斜結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，又提高轉(zhuǎn)換速率。而斜坡發(fā)生器作為普通Single-Slope ADC的重要組成部分，在TDSS ADC也是必不可少的。
1 斜坡發(fā)生器電路的設(shè)計(jì)與分析
斜坡發(fā)生器為8位，實(shí)現(xiàn)精度為12位。電壓幅度為1.5V，單個(gè)臺(tái)階高度為：
產(chǎn)生單個(gè)臺(tái)階電流增量為ILSB=16μA，那么電流源網(wǎng)絡(luò)的整體負(fù)載電阻為：
為了滿足精細(xì)比較階段的要求，還需要增加32個(gè)臺(tái)階。那么斜坡發(fā)生器需要的總臺(tái)階數(shù)量為M=28-1+2×24=287個(gè)，最終降斜坡電壓范圍約為2.5V-0.818V。
1.1 電流舵分段方式的確定
電流舵斜坡發(fā)生器根據(jù)電流源網(wǎng)絡(luò)的實(shí)現(xiàn)方式可以分為二進(jìn)制譯碼型和溫度計(jì)譯碼型[1]。通過比較兩種網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)缺點(diǎn)，最終采用二進(jìn)制和溫度計(jì)型混合譯碼型電路。采用4+4的分段方式實(shí)現(xiàn)了一個(gè)8位斜坡發(fā)生器，即低4位用二進(jìn)制譯碼型，高4位用溫度計(jì)碼型，實(shí)際精度達(dá)到12位。
1.2 輸出轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)
驅(qū)動(dòng)電路就是運(yùn)算放大器組成的跟隨器，所以驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就是對(duì)運(yùn)放的設(shè)計(jì)。
實(shí)際運(yùn)放接為的跟隨器的增益誤差可以表示為公式（1.3），Vout是理想輸出，實(shí)際輸出Vout。
增益誤差應(yīng)該小于0.5LSB，對(duì)于該電路要求的1.68V的電壓擺幅，即Vref=1.68V，實(shí)現(xiàn)12位的精度，可以得出對(duì)運(yùn)放增益誤差的要求為：
由上式可得運(yùn)算放大器的最小增益為74dB。
運(yùn)放的時(shí)間常數(shù)可以表示為公式（1.5），其中ω0為3dB帶寬，Av（0）ω0是單位增益帶寬，Av（0）即為跟隨器的低頻環(huán)路增益。
對(duì)于12位的精度要求的運(yùn)放，輸出增益誤差達(dá)到小于0.0205%的時(shí)間t0.0205%可以得出：
該運(yùn)算放大器工作頻率為50MHz，取其穩(wěn)定時(shí)間為時(shí)鐘周期的65%，那么由t0.0205%=13ns就可以得到該運(yùn)放需要達(dá)到的單位增益帶寬為：
所以要滿足設(shè)計(jì)要求，運(yùn)放的單位增益帶寬要達(dá)到104MHz。
1.3 運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
根據(jù)計(jì)算要求，本文中的運(yùn)算放大器采用了軌到軌運(yùn)算放大器來實(shí)現(xiàn)。該放大器可以分為輸入級(jí)、中間級(jí)、輸出級(jí)和補(bǔ)償電路組成。
輸入電路采用了PMOS和NMOS共用的互補(bǔ)差分輸入，同時(shí)采用了電流鏡技術(shù)來使得互補(bǔ)輸入在輸入共模范圍內(nèi)具有較為恒定的總輸入跨導(dǎo)[2]。
本運(yùn)放中間放大級(jí)設(shè)計(jì)采取折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)。折疊共源共柵中間放大級(jí)構(gòu)成加法電路，從差分輸出的電流進(jìn)入此加法電路后，通過兩個(gè)電流鏡實(shí)現(xiàn)雙端到單端的轉(zhuǎn)換，輸出給下一級(jí)電路。設(shè)計(jì)時(shí)一方面為了提高輸出電阻和擺幅，采用了含有反饋電路的寬擺幅共源共柵結(jié)構(gòu)的電流鏡作為負(fù)載。
輸出級(jí)采用帶有AB類偏置的推挽輸出級(jí)，它可以實(shí)現(xiàn)全擺幅輸出，并且其送至負(fù)載的最大信號(hào)電流與輸出級(jí)靜態(tài)電流的比值大，電源利用率高。
兩級(jí)電路中需要加入補(bǔ)償電路以確保有合適的相位裕度來使運(yùn)放工作狀態(tài)穩(wěn)定，該運(yùn)算放大中的補(bǔ)償電路通過接入合適的電容Cc1和Cc2來實(shí)現(xiàn)的。補(bǔ)償電容的大小與負(fù)載電容、兩級(jí)電路的輸入跨導(dǎo)和電路的單位增益帶寬等因素有關(guān)，設(shè)計(jì)中需要綜合考慮。
2 結(jié)語
論文首先詳細(xì)介紹了適用于TDSS ADC實(shí)現(xiàn)12位精度的斜坡發(fā)生器設(shè)計(jì)過程，電路主要包括電流源網(wǎng)絡(luò)、開關(guān)網(wǎng)絡(luò)及輸出轉(zhuǎn)換電路三部分。論文詳細(xì)分析了電流源電路、開關(guān)電路和輸出級(jí)電路的設(shè)計(jì)。
在UMC130nm CMOS工藝下完成整體電路的設(shè)計(jì)后，分別仿真驗(yàn)證了各個(gè)電路模塊的功能和輸出，然后對(duì)整體斜坡發(fā)生器進(jìn)行了仿真分析，最終得到0.81V-2.48V的斜坡仿真電壓，其中Dnl+-0.485LSB，INL+-0.0869LSB，仿真結(jié)果滿足設(shè)計(jì)要求。
參考文獻(xiàn)
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我校微電子科學(xué)與工程專業(yè)是在應(yīng)用物理學(xué)專業(yè)微電子方向的基礎(chǔ)上，于2009年提出申請(qǐng)，同年9月經(jīng)陜西省教育廳批準(zhǔn)，于2010年增設(shè)的，專業(yè)代碼為080704，屬于工學(xué)大類，電子信息類。學(xué)制四年，授予理學(xué)學(xué)士學(xué)位。本專業(yè)培養(yǎng)具備微電子科學(xué)與工程專業(yè)扎實(shí)的自然科學(xué)基礎(chǔ)、系統(tǒng)的專業(yè)知識(shí)和較強(qiáng)的實(shí)驗(yàn)技能與工程實(shí)踐能力，能在微電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域從事研究、開發(fā)、制造和管理等方面工作的專門人才。
二、微電子科學(xué)與工程的專業(yè)特征
通過實(shí)驗(yàn)、技能訓(xùn)練和到實(shí)習(xí)基地頂崗實(shí)習(xí)，本專業(yè)畢業(yè)生應(yīng)具備以下能力：（1）掌握數(shù)學(xué)、物理等方面的基本理論和基本知識(shí)；（2）掌握固體電子學(xué)、微電子器件和集成電路設(shè)計(jì)與制造等方面的基本理論和基本知識(shí)，掌握集成電路和其他半導(dǎo)體器件的分析與設(shè)計(jì)方法，具有獨(dú)立進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)、器件性能分析的基本能力；（3）了解相近專業(yè)的一般原理和知識(shí)；（4）熟悉國(guó)家電子產(chǎn)業(yè)政策、國(guó)內(nèi)外有關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及其他法律法規(guī)；（5）了解VLSI和其他新型半導(dǎo)體器件的理論前沿、應(yīng)用前景和最新發(fā)展動(dòng)態(tài)，以及微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r；（6）掌握資料查詢、文獻(xiàn)檢索及運(yùn)用現(xiàn)代信息技術(shù)獲取相關(guān)信息的基本方法；具有一定的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，創(chuàng)造實(shí)驗(yàn)條件，歸納、整理、分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果，撰寫論文，參與學(xué)術(shù)交流的能力。微電子科學(xué)與工程專業(yè)具備以下特征：兼容性：本專業(yè)是理工兼容的專業(yè)，融合了物理學(xué)、化學(xué)、電子學(xué)、材料科學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)、集成電路設(shè)計(jì)制造學(xué)等多個(gè)學(xué)科的基本知識(shí)、基礎(chǔ)理論；交叉性：微電子科學(xué)與工程專業(yè)是超凈、超純、超精細(xì)加工等多種技術(shù)交叉的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的學(xué)科；基礎(chǔ)性：微電子科學(xué)與工程專業(yè)是電子科學(xué)技術(shù)、信息科學(xué)技術(shù)、計(jì)算機(jī)科學(xué)技術(shù)的先導(dǎo)和基礎(chǔ)，是發(fā)展現(xiàn)代高新技術(shù)和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化的重要基礎(chǔ)。
三、學(xué)科建設(shè)的實(shí)踐與探索
學(xué)科建設(shè)是一個(gè)長(zhǎng)期積累、不斷提高的過程，重在建設(shè)和積累。我們?cè)诮ㄔO(shè)過程中以教學(xué)團(tuán)隊(duì)為抓手，以課程群為載體，以課堂教學(xué)為主渠道，以深化改革為手段，以培養(yǎng)學(xué)生實(shí)踐創(chuàng)新能力、持續(xù)提高教學(xué)質(zhì)量為目標(biāo)。將教學(xué)團(tuán)隊(duì)建設(shè)、課程群建設(shè)和教學(xué)改革緊密結(jié)合，作為系統(tǒng)工程整體推進(jìn)，實(shí)現(xiàn)成效的最大化。教學(xué)團(tuán)隊(duì)建設(shè)、師資隊(duì)伍建設(shè)和青年教師培養(yǎng)相結(jié)合。教學(xué)團(tuán)隊(duì)從師資隊(duì)伍中產(chǎn)生，不能孤立于師資隊(duì)伍建設(shè)之外，師資隊(duì)伍建設(shè)需要高水平教學(xué)團(tuán)隊(duì)的帶領(lǐng)和引導(dǎo)，需要傳幫帶。為了使教學(xué)團(tuán)隊(duì)具備堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，同時(shí)發(fā)揮其輻射引領(lǐng)作用，必須提高教師的整體教學(xué)水平和大面積教學(xué)質(zhì)量，必須大力狠抓師資隊(duì)伍建設(shè)，對(duì)于開辦時(shí)間不長(zhǎng)的新專業(yè)而言，更要特別注重新進(jìn)青年教師的培養(yǎng)。首先，理念引導(dǎo)，認(rèn)識(shí)到位。我們始終堅(jiān)持教學(xué)是人才培養(yǎng)的第一要?jiǎng)?wù)的宗旨，確立了教學(xué)的重要地位，為了把教學(xué)這個(gè)良心活做好，我們?cè)诮虒W(xué)活動(dòng)中一再?gòu)?qiáng)調(diào)換位思考，希望任課教師要像當(dāng)年要求自己的教師那樣要求自己，以對(duì)學(xué)生、學(xué)校、家長(zhǎng)、專業(yè)、社會(huì)高度負(fù)責(zé)的態(tài)度講好每一節(jié)課。教師們教學(xué)態(tài)度端正、認(rèn)識(shí)到位，責(zé)任心強(qiáng)，這是搞好教學(xué)工作的前提。其次，建立長(zhǎng)效機(jī)制。通過建立一系列行之有效的規(guī)章制度、運(yùn)行機(jī)制和政策措施，如青年教師培訓(xùn)培養(yǎng)機(jī)制、教學(xué)信息交流反饋機(jī)制、資源經(jīng)驗(yàn)共享互用機(jī)制，通過互相聽課、針對(duì)性聽課、隨機(jī)聽課、學(xué)生評(píng)教等渠道了解、檢查教師的教學(xué)情況，做到有問題及時(shí)反饋、溝通并督促限期整改。針對(duì)新近開辦專業(yè)青年教師多的現(xiàn)狀，我們著力培養(yǎng)青年教師的教學(xué)基本功，定期、不定期召開青年教師座談會(huì)，交流治學(xué)、教學(xué)、科研經(jīng)驗(yàn)，要求他們跟班聽課并要聽不同教師的講課，博采眾長(zhǎng)。同時(shí)，要求青年教師根據(jù)工作需要，結(jié)合個(gè)人特長(zhǎng)選定主講課程（至少兩門），扎實(shí)練就教學(xué)基本功。鼓勵(lì)和支持年輕教師到國(guó)內(nèi)外進(jìn)修學(xué)習(xí)，加速他們的成長(zhǎng)。
1.課程群建設(shè)、教學(xué)團(tuán)隊(duì)建設(shè)與課堂教學(xué)相結(jié)合。
教學(xué)團(tuán)隊(duì)不能脫離課程而單獨(dú)存在，課程群需要高水平的教學(xué)團(tuán)隊(duì)去建設(shè)。目前課堂教學(xué)仍是本科教學(xué)的主渠道，因此必須將課程群建設(shè)、教學(xué)團(tuán)隊(duì)建設(shè)融入課堂教學(xué)，才能把建設(shè)落到實(shí)處，并在具體的課堂教學(xué)中體現(xiàn)建設(shè)效果。微電子教學(xué)團(tuán)隊(duì)和課程組認(rèn)真研究了半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件、集成電路設(shè)計(jì)原理等這幾門課程之間的區(qū)別、聯(lián)系、共性和互補(bǔ)性，對(duì)傳統(tǒng)的教學(xué)內(nèi)容進(jìn)行了整合、改革，以促進(jìn)各課程之間的相互滲透、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)和資源共享，更好地處理理論教學(xué)、實(shí)驗(yàn)教學(xué)和實(shí)際應(yīng)用之間的關(guān)系。把教學(xué)團(tuán)隊(duì)和課程群建設(shè)的成果有效地落實(shí)到課堂教學(xué)中，接受課堂和學(xué)生的檢驗(yàn)，并做到互相促進(jìn)，增強(qiáng)了整體效果。
2.課程建設(shè)與科學(xué)研究、教學(xué)研究、教學(xué)改革相結(jié)合。
只有深入開展教學(xué)研究，才能有效地推進(jìn)教學(xué)改革和課程建設(shè)。我們對(duì)教學(xué)研究常抓不懈，常研常新，從教學(xué)內(nèi)容、教學(xué)方法、教學(xué)手段和方案實(shí)施等方面全方位抓起，不斷深化教學(xué)研究和教學(xué)改革。對(duì)于課程內(nèi)容的研究與改革，從宏觀上把握課程的科學(xué)體系和各部分之間的關(guān)系、理清主線、抓住要點(diǎn)；從微觀上對(duì)教材的具體內(nèi)容進(jìn)行深入研究，如MOS場(chǎng)效應(yīng)管與現(xiàn)行手機(jī)屏之間的關(guān)系，由于和實(shí)際生活非常近，非常受學(xué)生的歡迎。教學(xué)方式與手段的研究與改革方面，可以閱讀科學(xué)史和科學(xué)家傳記，從中受到啟發(fā)，如楊振寧的老師泰勒水平很高，但往往無暇備課，上課時(shí)總是現(xiàn)想現(xiàn)推，有時(shí)就會(huì)陷入困境或誤入歧途，恰恰是在他擺脫困境和糾錯(cuò)的探索中，讓細(xì)心的學(xué)生有機(jī)會(huì)親眼看到老師的思維過程和分析、解決問題的方法。這是鮮活的問題解決式教學(xué)，泰勒是無意的，有經(jīng)驗(yàn)的教師難道不可以有意而為嗎？教學(xué)的關(guān)鍵和難處在于揭示前人的發(fā)現(xiàn)過程和思想脈絡(luò)，這就需要任課教師了解相關(guān)的歷史和教育學(xué)原理，在發(fā)揮教師主導(dǎo)作用的同時(shí)，通過提問、專題討論等方式活躍課堂氣氛，促使學(xué)生積極思考，讓其從知識(shí)的被動(dòng)接受者轉(zhuǎn)變?yōu)橹鲃?dòng)參與者和糾結(jié)探索者，發(fā)揮學(xué)生的主體作用。進(jìn)而微電子科學(xué)與工程專業(yè)的教師把自己現(xiàn)有的縱橫向科研課題帶入課堂教學(xué)中去，讓學(xué)生感受科學(xué)研究的氛圍，并通過專業(yè)課程的熏陶培養(yǎng)學(xué)生的科學(xué)美感。
3.理論教學(xué)、模擬實(shí)驗(yàn)、實(shí)驗(yàn)教學(xué)與生產(chǎn)實(shí)踐相結(jié)合。
實(shí)踐性教學(xué)環(huán)節(jié)包括：認(rèn)識(shí)實(shí)踐、畢業(yè)實(shí)踐和畢業(yè)設(shè)計(jì)等幾方面。加強(qiáng)實(shí)踐教學(xué)環(huán)節(jié)，突出微電子學(xué)應(yīng)用型人才培養(yǎng)特色。提高校內(nèi)實(shí)驗(yàn)實(shí)踐基地建設(shè)的規(guī)模與水平；加強(qiáng)與校外教學(xué)實(shí)踐基地合作，提升校外合作教育基地的層次和聯(lián)系緊密度，實(shí)行“雙師型”教學(xué)模式，加強(qiáng)實(shí)踐教學(xué)環(huán)節(jié)，提高學(xué)生的實(shí)踐能力。形成先進(jìn)的實(shí)踐教學(xué)理念，堅(jiān)持不斷的實(shí)訓(xùn)，構(gòu)建以學(xué)生為主體的實(shí)踐教學(xué)模式，以取代傳統(tǒng)的教師主體式的模式，構(gòu)建主動(dòng)適應(yīng)社會(huì)發(fā)展所需人才的培養(yǎng)體系。加大力度組織學(xué)生參加各類科技競(jìng)賽，力求每年參與創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)實(shí)踐和學(xué)科競(jìng)賽活動(dòng)的學(xué)生比例逐年遞增的趨勢(shì)。生產(chǎn)實(shí)踐是學(xué)生學(xué)以致用、鍛煉能力、增強(qiáng)創(chuàng)新的重要活動(dòng)，通過不斷加強(qiáng)實(shí)驗(yàn)性、實(shí)踐性、應(yīng)用性、創(chuàng)新性教育環(huán)節(jié)，使學(xué)生自己體驗(yàn)學(xué)、用微電子的樂趣，有效地提高了學(xué)生的實(shí)踐能力和創(chuàng)新意識(shí)。
四、結(jié)語
